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碳化硅基MOSFETs器件研究进展 被引量：2

Progress in SiC based MOSFETs
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摘要 基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。 The silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （SiC MOSFETs） have been developing for twenty years, and their processing technologies and properties are im- proved gradually. Nowadays, some products of this kind have entered the market. The progress of SiC Double-implanted MOSFETs （DMOSTETs） and Trench MOSFETs （UMOSFETs） is re- viewed. Meanwhile, the devices＇ key proeessing techniques and the performance of SiC MOS- FETs products are also introduced.
作者 李金平 王琨
机构地区 国家国防科技工业局协作配套中心 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处 《西安邮电大学学报》 2016年第4期1-8,共8页 Journal of Xi’an University of Posts and Telecommunications
基金 国家自然科学基金重点项目(61334002)
关键词 碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻 power device, MOSFET, breakdown voltage, on-resistance
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献26

  • 1PALMOUR J W, EDMOND J A, CARTER J C H. Demonstrating the potential of 6H-Silicon Carbide for power devicesEJ/OL~. IEEE Transactions on Electron Devices, 1993, 40(11): 2129-2130[2016-05-08-1. ht- tp://dx, doi. org/10, ll09/DRC. 1993. 1009604.
  • 2CASADY J B, AGARWAL A K, ROWLAND L B, et al. Sillicon Carbide Power MOSFET Technology[C/ 0L~//1997 IEEE International Symposium on Com- pound Semiconductors, CA San Diego: IEEE, 1998: 359-36212016-05-08-1. http://dx, doi. org/10. 1109/ ISCS. 1998. 711654.
  • 3SHENOY J N, COOPER J A, MELLOCH M R,High-Voltage Double-Implanted Power MOSFET's in 6H-SiC[J/OL]. IEEE Electron Device Letters, 1997, 18(3) : 93-95 [2016-05-08]. http://dx, doi. org/10. 1109/55. 556091.
  • 4MATIN M, SAHA A, COOPER J A. A self-aligned process for high-voltage, short-channel vertical DMOSFETs in 4H-SiC[,J/OL]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2004, 51(10): 1721-172512016-05- 08]. http://dx, doi. org/10. 1109/TED. 2004. 835622.
  • 5RYU S H, AGARWAL A, RICHMOND J, et al. 10 A 2. 4 kV Power DiMOSFETs in 4H-SiC [,J/OL]. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23 (6): 321-323 [2016-05-08]. http://dx, doi. org/10. 1109/LED. 2002. 1004222.
  • 6RYU S H, AGARWAL A K, KRISHNASWAMI S, et al. Development of 10 kV 4H-SiC power DMOS- FETs[J/OL]. Materials Science Forum, 2004, 457- 460: 1385-1388[,,2016-05-08]. http://dx, doi. org/10. 4028/www. scientific, net/MSF. 457-460. 1385.
  • 7RYU S H, KRISHNASWAMI S, LOUGHLIN M O, et al. 10 kV, 123 m~ ~ cm2 4H-Sic Power DMOS- FETs[J/OL]. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25(8) : 556-55812016-05-08]. http://dx, doi. org/10. 1109/LED. 2004. 832122.
  • 8CHENGL, RYUSH, JONASC, etal. 3300 V, 30 A 4H-SiC Power DMOSFETs[C/OL]// 2009 ISDRS, USA MD College Park: IEEE, 2009: 1-212016-05- 08 ]. http://dx, doi. org/10. 1109/ISDRS. 2009. 5378284.
  • 9RYU S H, KRISHNASWAMI S, DAS M, et al. 10. 3 mr2 ~ cm2 , 2 kV Power DMOSFETs in 4H-SiC[C/ OL]// 2005 Proceedings of the 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices ~ ICes, CA Santa Barbara: IEEE, 2005: 275-27812016-05- 08 ]. http..//dx, doi. org/10. 1109/ISPSD. 2005. 1488004.
  • 10SAHA A, COOPER J A. A 1-kV 4H-SiC Power DMOSFET Optimized for Low On-Resistance[J/OL]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54 (10) : 2786-279112016-05-08]. http://dx, doi. org/10. ll09/TED. 2007. 904577.

同被引文献6

引证文献2

二级引证文献1

西安邮电大学学报
2016年 第4期

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