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微电子所阻变存储器研究取得新突破

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摘要口前，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器（RRAM）三维垂直交叉阵列研究领域取得了突破性进展，提出了自对准高性能自选通阻变存储器结构，为高密度、低成本三维垂直交叉阵列的制备提供了解决方案，

作者 Mary

出处《今日电子》 2016年第8期27-27,共1页 Electronic Products

关键词 AMOLED 全彩色新视界画面清晰度显示图像塑料膜发光材料

分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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今日电子

2016年第8期

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