MEMS器件刻蚀防反溅研究

对在不同厚度二氧化硅下刻蚀离子对悬浮结构造成的反溅刻蚀损伤进行对比研究，获得了最优防反溅二氧化硅厚度。在最小和最大刻蚀尺寸一定的情况下，硅互连引线上热氧化生长厚度分别为2000A°、1000A°、600A°和400A°,的二氧化硅，通过刻蚀释放实验观察刻蚀后硅引线和悬浮结构背面形貌。可获得最优二氧化硅厚度为600A°，此时刻蚀离子对悬浮结构背面反溅刻蚀损伤最小。