期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管
原文传递
导出
摘要
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势,被称为第三代半导体材料,用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等,可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平。
出处
《半导体信息》
2016年第3期9-12,共4页
Semiconductor Information
关键词
安森美半导体
太阳能逆变器
GaN
功率因数校正
电源转换效率
半导体工艺
通信电源
电源适配器
电源系统
软开关
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
ON Semiconductor.
推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管[J]
.电源世界,2016,0(7):31-33.
2
谭庆华.
GaN晶体管启程商用之路[J]
.集成电路应用,2011(1):17-17.
3
陈裕权.
Cree推出400W S波段RF GaN晶体管[J]
.半导体信息,2006,0(6):24-24.
4
安森美半导体和Transphorm推出600V GaN晶体管用于紧凑型电源及适配器[J]
.电子设计工程,2015,23(7):85-85.
5
安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管[J]
.电源技术应用,2016,0(4).
6
杨晓婵(摘译).
日本松下半导体公司开发高输出功率GaN晶体管[J]
.现代材料动态,2011(2):8-8.
7
美半导体和Transphorm推出600V GaN晶体管[J]
.半导体技术,2015,40(4):272-272.
8
Qorvo发布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器[J]
.半导体信息,2016,0(6):12-13.
9
松下开发出高输出功率GaN晶体管[J]
.中国集成电路,2010,19(9):2-2.
10
周楠,梁军君,董健,王玮.
GPON承载LTE室分系统可行性研究与实践[J]
.移动通信,2016,40(21):75-78.
被引量:2
半导体信息
2016年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部