安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200V器件

安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）,采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。