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三星与IBM联手打造STT—MRAM
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摘要
据报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为SrIT—MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。
出处
《中国集成电路》
2016年第8期5-6,共2页
China lntegrated Circuit
关键词
MRAM
IBM
三星
STT
研究论文
IEEE
DRAM
内存
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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中国集成电路
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