期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

基于FinFET的IC产品的设计和测试被引量：1

下载PDF

导出

摘要 FinFET晶体管的兴起对IC物理设计和可测试性设计流程具有显著影响。引入FinFET意味着在IC设计流程中，CMOS晶体管必须建模为三维（3D）器件，

作者 Carey Robertson Steve Pateras

机构地区 Mentor Graphics公司

出处《中国集成电路》 2016年第8期37-37,80,共2页 China lntegrated Circuit

关键词 FINFET IC产品设计流程可测试性 CMOS晶体管物理设计器件

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

引证文献1

1冯二媛,于海洋.一种优化FinFET工艺中冗余电容的方法[J].中国集成电路,2022,31(6):78-84.

1Christina Nickolas,王正华.功率MOSFET晶体管的导通电阻显著降低[J].今日电子,2000(5):8-8.
2陈剑,洪一.IC设计流程与技术实现[J].中国集成电路,2002,0(4):56-61.
3唐拓,张伟.专用集成电路静态时序分析[J].微处理机,2012,33(2):17-18.
4项碧波.代码覆盖率分析——IC设计流程中不可缺少的一步[J].集成电路应用,2002,19(1):49-52. 被引量：1
5ST推出250A功率MOSFET[J].中国电子商情,2008(8):84-84.
6丛秋波.14nm路线图加速客户使用FinFET技术[J].电子设计技术 EDN CHINA,2012,19(12):24-24.
7STV250N55F3:250A功率MOSFET[J].世界电子元器件,2008(10):52-52.
8George Kuo.低功耗IC设计流程[J].电子设计应用,2006(5):22-22. 被引量：1
9意法半导体(ST)巩固在能效功率控制市场的领导地位[J].电子设计工程,2012,20(2):192-192.
10华胜华,刘伟平.PERL在IC设计中的应用[J].中国集成电路,2004(5):36-41. 被引量：2

中国集成电路

2016年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部