ST推出新款超结MOSFET和全球首款1500V TO-220FP宽爬电间距封装功率晶体管

意法半导体（ST Microelectronics，简称ST）推出一系列采用TO-220 Full—PAK（TO-220FP）宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。