期刊文献+

高压LED阵列电学特性的优化方法的研究

Optimization Methods' Study of High-Voltage LED's Electrical Properties
下载PDF
导出
摘要 高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。 In the manufacturing process of high-voltage LED,optimizing electrode parameters is one way to get uniform distribution current,improve current transport properties and improve the device luminous efficiency.Improving the isolation layer preparation process parameters and electrode parameters and sampling the testing samples with the thickness of Cr/Au up to 300 nm/500 nm to improve the high-voltage LED leakage current transport property,and reduce high voltage LED leakage phenomenon,improve the electrode voltage LED reliability,resulting in improving the metal electrode thickness effect on high voltage LED.By two-step preparation of isolation layer and change LED process parameters and isolation layer dip angle,series high voltage LED whose forward voltage is about 12 V was successful prepared.
出处 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第8期81-83,91,共4页 Instrument Technique and Sensor
基金 国家支撑计划项目(2011BAE01B14) 北京市教委基金项目(KM201210005004) 北京市15青年拔尖项目(311000543115501) 中山市科技计划项目(2014A2FC305) 北京市教委项目(PXM2014_014204_500008) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室开放基金(412S0601)
关键词 氮化镓 电极参数 高压LED 电流输运特性 光输出功率 电学特性 Ga N parameters of electrode high-vlotage LED current transport properties optical output power optical properties
  • 相关文献

参考文献12

二级参考文献61

  • 1刘乃鑫,王怀兵,刘建平,牛南辉,韩军,沈光地.p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究[J].物理学报,2006,55(3):1424-1429. 被引量:22
  • 2Sehmid W, Eberhard F, Schauler M, Grabherr M, King R, Miller M, Deiehsel E , Stareev G, Martin U, Jaeger R, Joos J, Miehatzik R, Ebeling K J 1999 SPIE 3621 198.
  • 3Li Y, Zheng R S, Feng Y C, Liu S H, Niu H B 2006 Chin. Phys. 15 0702.
  • 4江洋 罗毅 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军.物理学报,2009,58:3468-3468.
  • 5Huang H W, Chu J T, Kao C C, Hseuh T H, Lu T C, Kuo H C, Wang S C, Yu C C 2005 Nanotechnology 16 1844.
  • 6Huang H W, Kao C C, Chu J T, Wang W C, Lu T C, Kuo H C, Wang S G, Yu C C, Kuo S Y 2007 Mater. Sci. Eng. B 136 152.
  • 7Pal S, Ingale A, Dixit V K, Sharma T K, Porwal S, Tiwari P, Nath A K 2007 J. Appl. Phys. 101 044311.
  • 8Huang H H, Kao C C, Chu J T, Liang W D, Kuo H C, Yu C C 2006 Mater. Chem. Phys. 99 414.
  • 9Kozaodoy P, Xing H, Denbaars S P, Mishra U K, Saxler A, Perrin R, Elhamri S, Mitchel W C 2000 J. Appl. Phys. 87 1832.
  • 10Lachab M, Youn D H, Fareed R S Q, Wang T, Sakai S 2000 Solid-State Electron. 44 1669.

共引文献17

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部