用于PLL的带隙基准电压源设计

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摘要本文基于SMIC 0.18μm标准CMOS混合工艺设计了一种适用于锁相环的高阶温度补偿带隙基准电压源,并进行了仿真验证。仿真结果显示,电源电压采用1.8V,在-50℃~125℃的温度范围内,带隙基准电压源获得了3.17ppm/℃的温度系数。将本文所设计的高阶带隙基准电压源应用到PLL系统中,能够很好的满足应用的要求。

作者徐兰余泞江

机构地区重庆邮电大学光电工程学院

出处《数字技术与应用》 2016年第10期166-166,共1页 Digital Technology & Application

关键词高阶温度补偿 PLL 带隙基准

分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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