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二阶曲率补偿带隙基准的设计

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摘要 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电源电压下,带隙基准输出电压在-25℃~125℃温度范围内获得了3.18 ppm/℃的温度系数,在1Hz及100KHz的频率处分别获得了-113.2 d B及-52.76d B的电源抑制比。
作者 李燕楠 廖杰
出处 《数字技术与应用》 2016年第10期184-184,共1页 Digital Technology & Application
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参考文献2

二级参考文献31

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