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中科院研制出首个硅衬底氮化镓基激光器
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摘要
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果已于近日刊登在国际鼎级的光学学术期刊《自然·光子学》杂志上。
作者
Mary
出处
《今日电子》
2016年第10期25-25,共1页
Electronic Products
关键词
激光器
氮化镓
硅衬底
中科院
纳米技术
中国科学院
学术期刊
研究成果
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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1
我国氮化镓基激光器研究获重大突破[J]
.新材料产业,2004(11):59-59.
2
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破[J]
.科技中国,2005(3):51-51.
3
中科院半导体所“氮化镓基激光器”通过验收[J]
.中国集成电路,2008,17(1):9-9.
4
氮化镓基激光器研制成功[J]
.系统工程与电子技术,2007,29(12):2005-2005.
5
氮化镓基半导体激光器[J]
.光学精密机械,2004(3):11-12.
6
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破[J]
.科学中国人,2005(1):80-80.
7
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破[J]
.测控自动化,2005(4):13-13.
8
我国氮化镓基半导体激光器研究取得重大突破[J]
.高科技与产业化,2004,10(12):16-16.
9
我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破[J]
.中国科技成果,2004,5(24):7-7.
10
苏州纳米技术与纳米仿生研究所利用爱思强系统助力氮化物半导体研究[J]
.现代显示,2012(11):62-62.
今日电子
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