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一种除去三氯氢硅中磷杂质的新方法 被引量:3

A New Method of Removing Phosphorus from Trichlorosilane
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摘要 文章对比了目前国内外氯硅烷除磷的主要方式;描述了一种新型除磷络合剂的制备方法;研究了该络合剂对三氯氢硅中的磷杂质的吸附效果。实验结果表明,使用该络合剂除去三氯氢硅中的磷耗时短,约1~10分钟:除磷效果高,可达95%以上。 A preparation method of a new complexing agent for removing phosphorus is described and also the adsorption effect of phosphorus impurities in trichlorosilane is studied in this paper. The experimental results shows that the time of removing phosphorus from trichlorosilane is very short (about 1-10 minutes when the new complexing agent is used. The removal rate of phosphorus is over to 95 %.
作者 黄海涛 王劭南 鲜洪 杨强 贾琳蔚 Huang Haitao Wang Shaonan Xian Hong Yang Qiang Jia Linwei(Technology Department of Sichuan Renesola Silicon Material Co., Ltd., Meishan 620040, Chin)
出处 《广东化工》 CAS 2016年第21期50-50,55,共2页 Guangdong Chemical Industry
关键词 三氯氢硅 络合剂 trichlorosilane: phosphorus: complexingagent
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献9

  • 1Nishizawa J. , Saito M. , Nihira H.. Journal of Crystal Growth[J] , 1978, 45:82-86
  • 2Hitoshi Habuka, Masatake Katayama, Manabu Shimada et al.. Journal of Crystal Growth [J] , 1997, 182:352-362
  • 3Hitoshi Habuka, Yasuaki Aoyama, Shoji Akiyama et al.. Journal of Crystal Growth[J] , 1999, 207:77-86
  • 4Hitoshi Habuka. Journal of Crystal Growth[J] , 2001,223:145-155
  • 5Frisch M. J. , Trucks G. W. , Schlegel H. B. et al.. Gaussian 98, Revision A. 3[CP], Pittsburgh PA.. Gaussian Inc. , 1998.
  • 6Ming-Der Su, Bernhard Schiegel H.. J. Phys. Chem. [J], 1993, 97:9981-9985
  • 7LI Jia-Zhi(李家值).Chemical Principle of Semiconductor(半导体化学原理)[M].Beijing: Science Press, 1980:130-134
  • 8聂少林.三氯氢硅生产工艺的改进[J].氯碱工业,2009,45(3):30-31. 被引量:12
  • 9聂少林,张颖琴,曹月丛.三氯氢硅生产现存问题及发展前景[J].氯碱工业,2010,46(4):24-26. 被引量:18

共引文献11

同被引文献15

引证文献3

二级引证文献2

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