集成电路光刻工艺研究

光刻是利用特定工艺将掩膜板上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术。在集成电路制造工艺中,光刻是最为重要的工艺之一。它决定着芯片的最小特征尺寸,占芯片制造时间的40-50%,并且占制造成本的30%。本文通过对光刻工艺的主要步骤的分析,研究了正胶及负胶的特性,探讨了未来光刻工艺发展的方向。