期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET Ⅲ MOSFET系列
原文传递
导出
摘要
Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,近日推出了其SuperFET III系列,用于650VN沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。
出处
《半导体信息》
2016年第5期10-11,共2页
Semiconductor Information
关键词
N沟道MOSFET
FAIRCHILD
SuperFET
可靠性要求
III
安森美半导体
高功率密度
太阳能产品
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
赵佶.
Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装[J]
.半导体信息,2015(2):12-13.
2
电源技术[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(11):146-146.
3
飞兆高压MOSFET面向PFC电路及AC/DC电源设计[J]
.国际电子变压器,2005(6):112-113.
4
飞兆半导体推出全新高电压SuperFET MOSFET[J]
.电子与电脑,2004(4):23-23.
5
Wonsuk Choi,Woori Bae,KyoungDeok Kim.
不牺牲EMI的高效解决方案SuperFETⅡMOSFET[J]
.中国电子商情,2016(4):36-38.
6
西恩迪[J]
.UPS应用,2015,0(9):79-79.
7
飞兆推出新低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列[J]
.电源技术应用,2006,9(10):78-78.
8
江西新余产出全球最大太阳能多晶硅硅锭[J]
.电源世界,2009(8):54-54.
9
飞兆半导体推出全新高电压SuperFET MOSFET[J]
.电子测试(新电子),2004(3):105-105.
10
飞兆半导体推出低导通阻抗600VSupertFET MOSFET[J]
.电子与电脑,2006(10):57-57.
半导体信息
2016年 第5期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部