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世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

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摘要日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料，为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础!

出处《半导体信息》 2016年第5期19-19,共1页 Semiconductor Information

关键词 SiC 石墨衬底直径金二维材料光半导体生长方法

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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