2018年市场规模60亿美元 国产IGBT产业化突破在即

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是由功率MOSFET和双极晶体管（BJT）复合而成的一种新型半导体器件，它集两者的优点于一体，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点，成为目前最有应用前景的电力半导体器件。