硅基异质结太阳电池钝化层的研究

THE INVESTIGATION ON SURFACE PASSIVATION LAYERS USED FOR SILICON HETERO-JUNCTION SOLAR CELL

研究硅基异质结太阳电池的表面钝化层对电池性能的影响,主要工作包括:1)对比非晶硅本征层a-Si:H(i)与非晶硅氧本征层a-Si Ox:H(i)对c-Si界面的钝化效果的作用,及其对电池性能的影响;2)研究不同a-Si:H(i)厚度对电池性能的影响;3)不同沉积速率a-Si:H(i)对c-Si界面的钝化效果和电池性能的影响,并对不同沉积速率的a-Si:H(i)膜层做了H原子含量等分析。通过该征钝化层工艺的优化,最终在156 mm×156 mm厚度200μm的n型硅片上获得效率为20.90%的硅基异质结太阳电池,和在100μm厚度的硅片上得到转化效率为20.44%的可弯曲电池。

The influence of surface passivation layers on silicon hetero-junction solar cell performance was studied in this paper, mainly in three aspects： 1）The comparison of surface passivation characteristics between a-SiOx ：H （i） layer and a-Si ： H （i） layer; 2） The thickness effect of intrinsic amorphous silicon layers （a-Si ： H （i）） on solar cell performance ; 3） The influence of a-Si：H （i） films prepared by different deposition rates on the passivation effect and I-V performance of SHJ cells, and characterization of H concentration using FTIR measurement. The conversion efficiency of 20.90% is obtained on SHJ cells using n-type c-Si wafer with thickness of 200 μm and area of 156 mm×156 mm.