pMOSFET的偏压温度退火：机理和抑制
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第4期63-63,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1郜锦侠,张义门,张玉明.考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型[J].Journal of Semiconductors,2004,25(10):1296-1300. 被引量：1
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2胡辉勇,崔晓英,张鹤鸣,宋建军,戴显英,宣荣喜.应变Si PMOSFET电流特性研究[J].电子器件,2010,33(4):438-441. 被引量：1
-
3张国强,余学锋,任迪远,陆妩,严荣良.注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为[J].固体电子学研究与进展,1996,16(4):360-364.
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