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采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真
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摘要
Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元。这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构。
作者
Bruce Bateman
机构地区
Kilopass科技有限公司
出处
《今日电子》
2016年第12期47-49,共3页
Electronic Products
关键词
存储单元
DRAM
TCAD
最优化
仿真
引擎
SRAM单元
静态特性
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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今日电子
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