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中科院上海硅酸盐所制备出高导电ZnO陶瓷

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摘要中科院上海硅酸盐研究所研究员李国荣团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1．9×105Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的品格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，

出处《电力建设》北大核心 2016年第12期I0001-I0001,共1页 Electric Power Construction

关键词 ZnO陶瓷上海硅酸盐所高导电中科院制备上海硅酸盐研究所晶界缺陷肖特基势垒

分类号 TN304.82 [电子电信—物理电子学]

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电力建设

2016年第12期

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