摘要
Kilopass研发出了一种全新的静态随机存取存储器(static RAM)存储单元,可被用作DRAM存储单元。它被称为垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)存储单元,或简称VLT存储单元。这种单元存储的内容是静态的,因此不需要刷新。它可以使用现有晶圆工厂中的设备来制造,无须使用新的材料或工艺。VLT器件不仅性能良好,且比传统DRAM更加经济。在接下来的讨论中,我们会先简单介绍VLT存储单元,然后在成本构成的各个方面与传统DRAM进行比较。
出处
《单片机与嵌入式系统应用》
2017年第1期80-81,共2页
Microcontrollers & Embedded Systems