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半导体所研制出GaN基紫外激光器 被引量:1

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摘要 2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2855-2855,共1页 Journal of Synthetic Crystals
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