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半导体所研制出GaN基紫外激光器
被引量:
1
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摘要
2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期2855-2855,共1页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
中国科学院半导体研究所
紫外激光器
GAN
集成光电子学
国家重点实验室
微电子学
紫外固化
研究员
分类号
TN3-24 [电子电信—物理电子学]
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人工晶体学报
2016年 第12期
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