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中科院阻变存储器高密度集成研究获进展
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摘要
中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器(RRAM)高密度集成研究方面取得新进展,提出了一种与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件,为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。
作者
叶瑞优
出处
《军民两用技术与产品》
2017年第1期25-25,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
高密度
存储器
集成
互补金属氧化物半导体
中科院
电子研究所
中国科学院
研究人员
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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军民两用技术与产品
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