中科院阻变存储器高密度集成研究获进展

中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）高密度集成研究方面取得新进展，提出了一种与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。