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低剂量电离辐射对C6脑肿瘤干细胞增殖分化及凋亡的影响

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摘要 目的观察低剂量电离辐射对C6 BTSCs增殖、分化及凋亡的影响。方法进行C6 BTSCs的悬浮培养,应用倒置相差显微镜观察干细胞的生长特性,通过Brd U和CD133免疫荧光染色法明确C6 BTSCs的增殖情况,流式细胞分析法观察低剂量电离辐射后C6 BTSCs的凋亡情况。结果在无血清条件培养基的作用下,悬浮培养的C6 BTSCs增殖速度快,干细胞数量较多;低剂量电离辐射后,0.3 Gy组促进C6 BTSCs增殖和分化能力,且0.3Gy组C6 BTSCs存活细胞数量较多,凋亡的细胞数量较少,与对照组或3.0 Gy组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。结论 C6胶质瘤细胞系中存在具有干细胞特性的C6 BTSCs,且低剂量电离辐射刺激对C6 BTSCs的增殖、分化具有促进作用。
出处 《宁夏医学杂志》 CAS 2017年第1期80-83,共4页 Ningxia Medical Journal
基金 宁夏自然科学基金资助项目(NZ14136) 国家自然科学基金地区项目(81360062)
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