适用于SiC化学气相沉积工艺的真空机组研究

Study on proper vacuum pump set used for SiC chemical vapor deposition process

导出

摘要通过实验对不同真空泵应用于SiC化学气相沉积工艺的失效时间进行对比,并从结构上对不同真空泵失效的原理进行分析,确定了适用于SIC化学气相沉积工艺的真空泵组。 Through comparison of the experiment failure time on different vacuum pumps used in SiC chemical vapor deposition process as well as structural analysis of the principle of vacuum pump failure, determination is made for the proper vacuum pump set used in SiC chemical vapor deposition process.

作者周岳兵胡祥龙胡高健李益民 ZHOUYue-bing HU Xiang-long HU Gao-jian LI Yi-min(Powder Metallurgy Research Institute, Central South University, Changsha 410083, China ACME, Changsha410118, China)

机构地区中南大学粉末冶金研究院湖南顶立科技有限公司

出处《炭素》 2016年第4期28-29,10,共3页 Carbon

关键词 SIC 化学气相沉积真空泵 SiC chemical vapor deposition vacuum valve

分类号 TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]

引文网络
相关文献

参考文献3

1孙国栋,李贺军,付前刚,曹伟,宋广兴.SiC涂层化学气相沉积过程的数值模拟[J].西安交通大学学报,2007,41(9):1070-1074. 被引量：2
2韩栋梁.高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体(HTCVD)[J].科技情报开发与经济,2009,19(4):170-172. 被引量：4
3张立同,成来飞,徐永东.新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展[J].航空制造技术,2003,46(1):24-32. 被引量：226

二级参考文献22

1付前刚,李贺军,史小红,李克智,黄剑锋.沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响[J].西安交通大学学报,2005,39(1):49-52. 被引量：8
2杨基南.CVD成膜技术[J].微细加工技术,1994(1):31-35. 被引量：1
3Barrett D L,McHugh J P, Hobgood H M, et al.Growth of large SiC single crystal[J ].J Cryst Growth, 1993( 128 ):358-362.
4Sasaki M,Nishio Y,Nishino S,et al. Defect Formation Mechanism of Bulk SiC[J]. Materials Science Forum, 1998( 1 ) :41-44.
5SADDOW SE,MAZZOLAMS,RENDAKOVA SV,et al. Silicon carbide CVD homoepitaxy on wafers with reduced micropipe density[J ].J Mater Sci Eng B, 1999,61 : 158-160.
6Clustering of Vacancies in Semi-Insulating SiC Observed with Positro Spectroscopy [ EB/OL ].[ 2008-12-20 ].http://www.scientific.net
7NISHINO S,HAZUKI Y,MATSUNAMI H,et al.Chemical vapor deposition of single cryatalline ?-SIC films on silicon substrate with sputtered intermediate layer [J].J Electrochem Soc, 1980, 127 ( 12 ) : 2674-2680.
8Fu Qiangang,Li Hejun,Li Kezhi,et al.SiC whiskertoughened MoSi2-SiC-Si coating to protect carbon/carbon composites against oxidation[J].Carbon,2006,44(9):1866-1869.
9Kingetsu T,Takehara M,Yarii T,et al.Correlation between the oxidation behavior and the microstructure of SiC coatings deposited on graphite substrates via chemical vapor deposition[J].Thin Solid Films,1998,315(1/2):139-143.
10Fitzer E,Fritz W,Schoch G.Modeling of the chemical vapor impregnation of porous carbon substrates with SiC[J].High Temperatures-High Pressures,1992,24(3):343-354.

共引文献227

1刘倩,陈思安,潘勇.SiC/CVD SiC复合涂层的抗氧化及抗热震性能研究[J].宇航总体技术,2021(2):39-48. 被引量：6
2蒋丽娟,侯振华,周寅智.预制体结构及界面对三维SiC/SiC复合材料拉伸性能的影响[J].复合材料学报,2020,37(3):642-649. 被引量：7
3童长青,成来飞,张立同,徐永东.C/SiC-W复合材料的制备与表征[J].航空材料学报,2006,26(3):152-156. 被引量：2
4张立同,成来飞,徐永东,刘永胜,曾庆丰,董宁,栾新刚.自愈合碳化硅陶瓷基复合材料研究及应用进展[J].航空材料学报,2006,26(3):226-232. 被引量：46
5张立同,成来飞,徐永东,曾庆丰,梅辉,栾新刚,董宁,王俊杰,叶雅静.连续纤维增韧陶瓷基复合材料的环境性能模拟[J].硅酸盐学报,2007,35(S1):101-107. 被引量：10
6池宪,吴凡,锁小红.C-SiC陶瓷基复合材料磨削参数优化研究[J].航空精密制造技术,2012,48(1):41-43. 被引量：5
7李炜.碳纤维增强抗氧化复合材料研究进展[J].复合材料学报,2013,30(S1):289-294. 被引量：10
8李镇,张立同,成来飞,王晓明,徐永东.化学气相渗透制备SiC_p/SiC复合材料[J].航空制造技术,2005,48(7):68-70. 被引量：2
9管国阳,矫桂琼,张增光.2D-C/SiC复合材料的宏观拉压特性和失效模式[J].复合材料学报,2005,22(4):81-85. 被引量：53
10姚磊江,童小燕,吕胜利,孙龙生.C/SiC复合材料数据库的逻辑结构设计[J].西北工业大学学报,2005,23(4):426-429. 被引量：4

1储志刚,褚小东,范昌海.罗茨-水环真空泵组在丙烯酸丁酯装置中的应用[J].上海化工,2012,37(1):24-27. 被引量：5
2高建国,林波,谢立功,戴宗玉,王平,陈艳雷.长输管道真空干燥真空泵有效抽速的研究[J].油气储运,2005,24(10):26-29. 被引量：3
3王晓中.水环真空泵组在常减压装置抽真空系统中的应用[J].安徽化工,2010,36(B09):28-30. 被引量：8
4陈春保.水环真空泵组在异构脱蜡装置抽真空系统中的应用[J].中国石油和化工标准与质量,2013,33(12):251-251. 被引量：1
5W.ZJ.适合工业应用的高性能真空泵[J].军民两用技术与产品,2012(9):36-36.
6普发真空推出模块化真空泵组[J].现代制造,2009(4):15-15.
7安捷伦科技公司——适合工业应用的高性能真空泵[J].流程工业,2012(20):104-104.
8黄力森.调峰机组真空系统安全节能改造实践[J].广东电力,2016,29(1):27-30. 被引量：3
9李锦平,庞秋穗,张文生.纯生线真空泵系统改进[J].设备管理与维修,2003(4):34-34.
10徐言生,王曙光,杨泽亮.冻干设备真空系统设计及其节能运行控制方式的应用研究[J].流体机械,2007,35(7):83-86. 被引量：3

炭素

2016年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

适用于SiC化学气相沉积工艺的真空机组研究

参考文献3

二级参考文献22

共引文献227

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史