面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究

三维存储正成为后二十纳米技术代存储器技术的主要发展趋势，从二维时代到三维时代的转变为我国存储技术的自主发展提供了良好的历史机遇。在众多的新型不挥发存储器中，阻变存储器（RRAM）由于其结构简单、易于三维堆叠，而受到极大的关注，是一种非常有希望得到广泛应用的新型存储技术。