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2.4GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计 被引量:2

Design of 0.18μm CMOS Low Noise Amplifier
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摘要 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于蓝牙系统的低噪声放大器。该放大器采用共源共栅结构,输入输出匹配良好。整个电路采用1.8V单电源供电。模拟结果表明:在中心频率2.4GHz处,LNA功率增益为15.2d B,噪声系数为1.85d B,功耗为7.2m W。 A low-noise amplifier for Bluetooth application was realized by using TSMC 0.18μm CMOS technology.The LNA employs cascode structure, Input and output are well-matched. The whole supply voltage is 1.8V. Simulation results indicate:at 2.4GHz, the circuit gain is 15.2dB, the noise figure is 1.85 dB, and the power dissipation is7.2m W.
出处 《中国集成电路》 2017年第1期35-39,共5页 China lntegrated Circuit
基金 浙江省科技厅公益项目(2017C33005)
关键词 CMOS工艺 低噪声放大器 噪声系数 蓝牙 CMOS technology low noise amplifier noise figure Bluetooth
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