Qorvo发布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

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摘要 Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓（SiC）工艺——QGaN15。

出处《半导体信息》 2016年第6期12-13,共2页 Semiconductor Information

关键词高频性能 GAN 驱动器 LNA 分立式制造工艺 RF系统相关模型

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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