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28nmFD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世

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摘要三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥发性存储器（eNVM）选项。

出处《中国集成电路》 2016年第9期7-7,共1页 China lntegrated Circuit

关键词嵌入式存储器 SOI工艺非挥发性存储器快闪存储器晶圆代工 SST

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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中国集成电路

2016年第9期

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