苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得进展

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摘要由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用,AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气,浓度可达到1013/cm2量级,因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。

机构地区中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期230-230,共1页 Journal of Synthetic Crystals

关键词 AlGaN/GaN HEMT器件增强型纳米苏州高电子迁移率二维电子气异质结界面

分类号 TQ171.774 [化学工程—玻璃工业]

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