微电子所成功开发出64Mb阻变存储器晶圆

近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心在阻变存储器（ReRAM）及其与标准CMOS工艺集成研究上取得进展。ReRAM作为新型的非易失性存储技术,具有读写速度快、操作电压低、使用寿命长、尺寸微缩性好及与CMOS工艺兼容性好等优点,一直备受产业界关注。