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基于C_(60)有机场效应晶体管栅电压与迁移率的研究
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摘要
制备了基于C_(60)为有源层的有机场效应晶体管,绘制了栅电压与迁移率的结构示意图,分析了栅电压与迁移率的关系。
作者
邓兴光
樊建锋
郝廷杰
孙林强
王宏伟
祁力平
机构地区
内蒙古自治区计量测试研究院
出处
《内蒙古科技与经济》
2016年第23期105-105,107,共2页
Inner Mongolia Science Technology & Economy
关键词
C60
有机场效应晶体管
迁移率
分类号
TN304.5 [电子电信—物理电子学]
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