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我国开发成功64Mb阳变存储器晶圆
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摘要
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心联合西安紫光国芯半导体有限公司,以及清华大学、北京大学、西安交通大学等单位的研究人员,在阻变存储器(ReRAM)及其与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的集成研究中取得了新进展。
作者
中科
出处
《军民两用技术与产品》
2017年第5期28-28,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
存储器
互补金属氧化物半导体
64Mb
西安交通大学
晶圆
开发
集成电路
电子研究所
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Mary.
微电子所成功开发出64Mb阻变存储器晶圆[J]
.今日电子,2017,0(3):25-25.
2
季振国.
基于金属氧化物薄膜的电阻式非挥发性随机存储器[J]
.无机材料学报,2009,24(4):754-754.
3
张晓.
Resistive switching characteristics of Ni/HfO_2/Pt ReRAM[J]
.Journal of Semiconductors,2012,33(5):80-82.
被引量:1
军民两用技术与产品
2017年 第5期
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