具有超低导通电阻的600V功率MOSFET

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摘要 SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOMRII栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

出处《今日电子》 2017年第4期66-66,共1页 Electronic Products

关键词功率MOSFET 低导通电阻栅极电荷优值系数功率转换第四代电阻比 N沟道

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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