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美国军用GaN进展情况

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摘要 2005年,美国国防部高级研究计划局(DARPA)为开始将氮化镓(GaN)视为砷化镓(GaAs)的替代品,开始为制造商提供GaN研发资金,从而开始致力于其发展。可以说近十年来,电子战和雷达最大的变化之一就是材料由GaAs向GaN过渡,由此带来功率、可靠性和经济上的改善。已经证实,在可靠性和导热率方面GaN都超过GaAs。
出处 《半导体信息》 2017年第1期6-8,共3页 Semiconductor Information
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