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美国军用GaN进展情况
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摘要
2005年,美国国防部高级研究计划局(DARPA)为开始将氮化镓(GaN)视为砷化镓(GaAs)的替代品,开始为制造商提供GaN研发资金,从而开始致力于其发展。可以说近十年来,电子战和雷达最大的变化之一就是材料由GaAs向GaN过渡,由此带来功率、可靠性和经济上的改善。已经证实,在可靠性和导热率方面GaN都超过GaAs。
出处
《半导体信息》
2017年第1期6-8,共3页
Semiconductor Information
关键词
美国国防部
GAN
军用
GAAS
可靠性
替代品
砷化镓
氮化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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