总投资300亿元美元紫光南京半导体产业基地开工建设

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摘要 2月12日，总投资300亿元美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式宣布开工。据悉，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D—NANDFLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。项目达产后，将有力地支撑我国在主流存储器领域的跨越式发展。

出处《半导体信息》 2017年第1期39-40,共2页 Semiconductor Information

关键词产业基地总投资半导体紫光南京 NANDFLASH 存储芯片跨越式发展

分类号 TP334.22 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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