f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs

Ultralthin Barrier InAlGaN/AIN/GaN HEMTs with f_T/f_(max) > 230/290 GHz

氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构。