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紫光南京半导体产业基地开工建设
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摘要
总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式宣布开工。据悉,紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NANDFLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。
出处
《中国集成电路》
2017年第3期1-1,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
产业基地
半导体
紫光
南京
存储芯片
总投资
投资建设
DRAM
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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10
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中国集成电路
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