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双向可控硅噪声抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改进解决方案

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摘要 从上个世纪70年代开始,双向可控硅(又称三端双向晶闸管)一直用于控制交流负载,几乎在所有电器上都能看到双向可控硅。当终端设备上的电压上升速率过快时,双向可控硅将会自动触发,从那时起,设计人员就必须面对双向可控硅的这个特性。当设计对电压快速瞬变有要求的电器时,必须考虑这个问题。
机构地区 意法半导体
出处 《中国集成电路》 2017年第3期40-41,66,共3页 China lntegrated Circuit
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