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双向可控硅噪声抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改进解决方案
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摘要
从上个世纪70年代开始,双向可控硅(又称三端双向晶闸管)一直用于控制交流负载,几乎在所有电器上都能看到双向可控硅。当终端设备上的电压上升速率过快时,双向可控硅将会自动触发,从那时起,设计人员就必须面对双向可控硅的这个特性。当设计对电压快速瞬变有要求的电器时,必须考虑这个问题。
作者
Muriel Nina
Laurent Gonthier
机构地区
意法半导体
出处
《中国集成电路》
2017年第3期40-41,66,共3页
China lntegrated Circuit
关键词
双向可控硅
性能改进
噪声抑制
低成本
原理
设计人员
双向晶闸管
交流负载
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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