Yb^(3+)和Er^(3+)在Ⅲ-Ⅴ族半导体中的发光特性

在77K时观察到了离子注入Yb和Er的InP、SI—InP、GaAs和n—GaAs具有尖锐结构的光致发光峰。这些发光峰分别来自于Yb^(3+)(4f^(13))~2F_(5/2)→~2F_(7/2)(近1.0μm)和Er^(3+)(4f^(11))~4I_((13)/2)→~4I_((15)/2)(近1.54μm)的跃迁。注入Yb和Er的样品分别在800和750℃退火,获得最佳发光强度。根据光致发光和X射线双晶衍射回摆曲线的分析,InP:Yb样品在850℃退火,获得注入层的最佳晶格结构。本文首次研究了SI—InP中Yb^(3+)和Er^(3+)间的相互作用,并当SI—InP中Yb^(3+)和Er^(3+)的浓度相等时,观察到了Yb^(3+)和Er^(3+)的相互猝灭效应。