中科院等在六角氮化硼沟槽中成功制备石墨烯纳米带

中国科学院上海微系统与信息技术研究所与上海科技大学、华中科技大学等单位合作，在国际上首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现了石墨烯纳米带的可控生长，成功打开了石墨烯的带隙，并在室温下验证了其优良的电学性能，为研发石墨烯数字电路提供了一种可能的技术路径。据悉，该方法现已获得中国和美国发明专利授权。