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快恢复二极管铜迁移失效机理及应用可靠性研究 被引量:2

The study on failure mechanism and applying reliability of fast recvery diode copper migration
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摘要 变频空调控制器柜机主板在生产过程出现大量IPM炸裂失效,IPM炸失效同步自举二极管失效,位置不集中,对主板进行分析,确定是IPM自举电路升压二极管异常导致IPM炸裂失效,经过对大量失效二极管及全检异常二极管分析,分析研究结果表明:二极管因为晶圆设计工艺结构缺陷、焊接工艺问题,导致晶圆焊接时产生高温铜迁移,抗机械应力水平下降,在实际应用中又因为器件引脚跨距设计不合理导致器件受机械应力影响加深失效程度,最终出现过电击穿失效,经大量的方案分析验证最终确定可行的方案,有效解决二极管铜迁移失效。从器件本身提高器件的应用可靠性。
作者 项永金
出处 《电子产品世界》 2017年第5期51-53,65,共4页 Electronic Engineering & Product World
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参考文献1

二级参考文献15

  • 1Benouattas N,Mosser A,Raiser D et al 2000 Appl.Surf.Sci.153 79
  • 2Chang C A 1990 J.Appl.Phys.67 566
  • 3Stolt L,Dheurle F M 1990 Thin Solid Films 189 269
  • 4Stolt L,Dheurle F M,Harper J M E 1991 Thin Solid Films 200 147
  • 5Poate J M,Turner P A,Debonte W J et al 1975 J.Appl.Phys.46 4275
  • 6Takaoka G H,Fujita K,Ishikawa J et al 1989 Nucl.Instr.Meth.B 37/38 882
  • 7Chromik R R,Neils W K,Cotts E J 1999 J.Appl.Phys.86 4273
  • 8Hong S Q,Comrie C M,Russel S W et al 1991 J.Appl.Phys.70 3655
  • 9Becht J G M,Van Loo F J J,Metselaar R 2001 Reac.Solids 6 45
  • 10Sekar K,Satyam P V,Kuri G et al 1993 Nucl.Instr.Meth.B 73 63

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