氮化镓材料在传感器中的应用

氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定胜。氮化镓材料与硅、砷化镓材料的电子性能对比如表1所示。