异质栅氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器

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摘要本文研究了不同结构的石墨烯纳米条带(GNR)隧道场效应晶体管(TFET)应用于反相器的性能。主要是在HSPICE中构建逻辑电路,并且基于Verilog-A模型的查找表进行的,主要比较了高K氧化层石墨烯隧穿场效应管(HKTINV)和异质氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器(HTINV)的性能。

作者孙倩

机构地区南京邮电大学电子科学与工程学院

出处《通讯世界》 2017年第9期264-265,共2页 Telecom World

关键词石墨烯隧穿场效应管异质氧化层反相器

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通讯世界

2017年第9期

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