IMEC宣布8英寸硅基GaN功率器件取得突破

比利时微电子研究中心（IMEC）近日宣布,在8英寸硅基Ga N晶圆上开发出200 V和650 V无分散常闭/增强型（dispersion-free normally-off/enhancement mode）功率器件,实现了超低动态导通电阻Ro（n20%以下）以及领先性能和复现能力。IMEC表示正在准备进行原型设计、小批量定制生产与技术转移。