PVD-AlN薄膜对LED特性之提升

本实验用物理气象沉积法(PVD)于蓝宝石衬底上镀氮化铝薄膜,取代传统MOCVD法生长的低温氮化镓缓冲层。随氮化铝越厚n值也越大,wafer受到的压缩应力越大。从XRD得知,氮化铝薄膜越薄(102)半高宽明显越小且(002)半高宽间变得比较大,因为(002)面产生的缺陷决定于材料间晶格的差异,则(102)半高宽的变化来自于结构的应力释放,薄的氮化铝薄膜就可有效释放当中的应力。最后用氮化铝缓冲层量之亮度比低温氮化镓缓冲层会增加1%,亮度30.5mW。