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强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态
Irreparable Defects Produced by the Patching of h-BN Frontiers on Strongly Interacting Re(0001) and Their Electronic Properties
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职称材料
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摘要
六方氮化硼(h-BN)是以硼原子(B)与氮原子(N)交替连接形成的蜂窝状二维原子晶体,作为二维材料家族中唯一的宽带隙绝缘体(~5.8eV),具有优异的导热性、良好的透光性、稳定的化学性质以及原子级平整的表面,这使其在光发射器件、
作者
吴凯
机构地区
北京大学化学与分子工程学院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期1510-1511,共2页
Acta Physico-Chimica Sinica
关键词
界面相互作用
电子态
可修复
缺陷
拼接
二维材料
六方氮化硼
光发射器件
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
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物理化学学报
2017年 第8期
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