期刊文献+

多晶硅还原炉气相平衡计算与分析 被引量:3

Discussion on the VaporPhase Equilibrium in the Siemens Bell-jar Reactor
下载PDF
导出
摘要 基于Gibbs自由能最小原理,对多晶硅还原炉内气相平衡进行了计算,系统地分析了不同温度、压力和氢摩尔配比条件下SiHCl3的转化率,以及还原尾气中SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、H2和HCl等组份的平衡情况,包括流量和组成浓度等。计算结果与实际情况较吻合,可以为改良西门子工艺的物料平衡模型提供依据,也可在还原炉实际运行过程,通过尾气分析检测数据与计算数据对照,分析炉内的工艺条件状况,及时做出调整和优化。 Based on the minimized Gibbs energy principle of a close system, in which the Siemens technology uses the hydrogen reduction of SiHCl3 to produce bulk polysilicon, the reactions are analyzed. The effect of efficient conversion of SiHCl3 to Si on the yields and Equilibrium concentration of SiH2Cl2 .SiCl4 is calculated. At the same time, the effect of Temperature, the Ratio of H2 in the feed and Pressure on the vent gas components a investigated.
作者 杨楠 姜福美
出处 《四川化工》 CAS 2017年第4期40-44,共5页 Sichuan Chemical Industry
关键词 多晶硅 还原尾气 热力学平衡 polysilicon CVD vent gas thermodynamic equilibrium
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献21

  • 1苗军舰,陈少纯,丘克强.西门子法生产多晶硅的热力学[J].无机化学学报,2007,23(5):795-801. 被引量:29
  • 2李国栋,张秀玲,胡仰栋.电子级多晶硅生产工艺的热力学分析[J].过程工程学报,2007,7(3):520-525. 被引量:25
  • 3WANG Ji-Tao(王季陶),LIU Ming-Deng(刘明登).Semiconductor Materia(半导体材料).Beijing:Higher Education Press,1990.
  • 4SHEN Hui(沈辉),ZENG Zu-Qin(曾祖勤).Solar Energy Photovoltaic Power Technology(太阳能光伏发电技术).Beijing:Chemical Industry Press,2005.
  • 5Niederkorn I,Wohl A.Rev.Roumaine Chim.,1966,11(1):85~101
  • 6Sirtl E,Hunt L P,Sawyer D H.J.Electrochem.Soc.,1974,1217):919~925
  • 7Diana M,Marino L D,Mastrantuono L,et al.Rev.Int.Hautes Tempér.Refact.,1981,18(3):203~213
  • 8Sirtl E,Reuschel K.Z.Anorg.Allgem.Chem.,1964,332(3):113~123
  • 9XUBao-Kun(徐宝琨) ZHAOMu-Yu(赵慕愚).Bandaoti Xuebao(Chinese J.Semicon.),1982,3(5):343-350.
  • 10XUBao-Kun(徐宝琨) ZHAOMu-Yu(赵慕愚).Bandaoti Xuebao(Chinese J.Semicon.),1984,5(3):247-256.

共引文献32

同被引文献8

引证文献3

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部