可提高晶体管电子迁移率的硅-氮化镓晶体技术

伊利诺伊大学厄巴纳·尚佩恩分校的一个研究小组通过优化构成器件的半导体层的组成提高氮化镓（GaN）-硅晶体管技术。并与行业合作伙伴Veeco和IBM合作，该团队在200mm硅衬底上创建了高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，其工艺将扩展到更大的工业标准晶圆尺寸。